众所周知，半导体这项工业非常依赖水资源，也是高耗水的工作，尤其在水 资源有限的现象下，限水、缺水对半导体出产企业的营运发生巨大压力。因此， 对半导体出产企业节约用水的研讨与实践，有助于进步用水效益，下降用水成 本。目前，节约用水、中水回用、废水的收回运用已成为半导体业者应对缺水 危机的重要措施，特别是半导体研磨废水的收回运用，既能削减对水资源的需求，又能降 低出产本钱，一起也削减对环境的污染。

 

　　半导体研磨废水首要包括两部分：硅圆片切开及研磨的废水及半导体器材 封装外壳的电镀废水。其间半导体器材封装外壳的电镀废水首要是指半导体集 成电路器材封装外壳的电镀废水以及半导体分立器材封装外壳的电镀废水，即 在所述封装外壳的金属零部件上分层电镀起导电及防腐效果的金属层时发生的废水，其间的污染物首要是酸和碱及锡、铅、铜、镍等金属离子，以及有机物和有机络合物等;其间的硅圆片切开及研磨的废水发生于硅圆片的切开研磨 工序中，其间含有许多的亚微米级硅颗粒、数十纳米以下的金刚砂磨料颗粒及 清洗剂。

电镀废水中的有机污染物归于高分子功能性的表面活性剂，而半导体研磨废水中的有机污染物(例如其间的清洗剂)，归于高分子离子型表面活性剂。电镀废水和研磨废水混合后，上述表面活性剂分子在溶液中能够自发及定向地吸附于 固液两相界面上，然后下降了溶液与金刚砂及硅固体颗粒之间的界面张力，使 得这些固体颗粒悬浮在水溶液中;其次，由于上述表面活性剂分子在废水中的 浓度远高于其临界胶束浓度，加上许多无机电解质(例如金属离子、酸根等) 的增强的效果，致使许多表面活性剂分子缔组成集结态胶团，这些胶团表面在水 中与金刚砂及硅固体颗粒触摸、粘附，使胶团变大，使之更易于被过滤出去。 由上述可见，电镀废水和研磨废水混合之后，其间的有机污物与无机污物发生 协同效果，上述悬浮在水溶液中的固体颗粒以及粘附固体颗粒物的胶团，经本 创造的浸没式膜过离单元过滤后，可被过滤铲除，使出水浊度降到0.1NTU以 下，CODCr降到80mg/L以下，SS降到0mg/L。而过滤后残留的浓缩液中，在 SS浓度高达10000mg/L左右时经过排污泵排出，不需要添加化学药剂，可直 接压滤或采用烘干的方法处理。这样，本来很难处理的有机物及固体颗粒，在 上述的协同效果下很简单被去除。并且对上述两种废水的比例能够不作约束， 都能够发生上述的协同效果，虽然协同效果的巨细不同。

　　纳滤膜过滤设备是以压力为驱动力，纳滤膜过滤在使用中具有以下明显特 点：(1)物理截留或截留筛分效应，纳滤膜孔径小，其均匀孔径1nm左右， 能有效地截留小的溶解组分或固体颗粒;(2)荷电性，即选择性截留，对单 价离子的截留率较低(百分之40～百分之80)，对二价及多价离子的截留率则较高，例如， 能够过滤上述半导体研磨废水中的大部分金属离子，比较经济;(3)与反渗透比较操作压 力低，透过流率大。(4)与蒸腾法或其他有“相”变的处理方法比较，纳滤膜过 滤法对电镀废水的处理进程，没有“相”变，因此能耗低;(5)纳滤法处理设备 占地面积小，设备紧凑，易自控，可接连操作。